Vishay Siliconix TrenchFET功率MOSFET荣获《电子技术应用》杂志

  在采用SO-8或PowerPAK SO-8封装的60V器件中,SiR662DP 60V N沟道功率MOSFET具有业内最低的导通电阻,以及60V器件中最低的导通电阻与栅极电荷乘积优值系数(FOM)。对于设计者,更低的MOSFET导通电阻使得传导损耗更低,可减少功耗,尤其是在重负载条件下。低FOM减少了高频和开关应用中的开关损耗,特别是在轻负载和待机模式下。器件的高效率使设计者能够提高系统的功率密度,或同时在更绿色的设计方案中实现更低的能源损耗。

  在两个月的时间内,用户通过在投票的方式选出了中国优秀电子产品奖的获奖者。118款提名产品中有31款获奖,SiR662DP荣获分立元器件类的奖项。

  《电子技术应用》创刊于1975年,内容覆盖中国的电子、通信、工业控制和计算机行业。这是该杂志第三年评选中国优秀电子产品奖。

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